Marque expirée - Marque en non vigueur

GaNotec
S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies Société anonyme

Numéro de dépôt :
3485328
Date de dépôt :
01/03/2007
Lieu de dépôt :
I.N.P.I. PARIS
Date d'expiration :
01/03/2017
GaNotec de S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies

Présentation de la marque GaNotec

Déposée le 1 mars 2007 par la Société Anonyme (SA) S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies auprès de l’Institut National de la Propriété Industrielle (I.N.P.I. PARIS), la marque française « GaNotec »

Le déposant est la Société Anonyme (SA) S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies domicilié(e) Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques,38190 BERNIN - 38190 - France et immatriculée sous le numéro RCS 384 711 909 .

Lors de son dépôt, il a été fait appel à un mandataire, ALAIN BENSOUSSAN SELAS domicilié(e) 29, rue du Colonel Pierre Avia,75508 PARIS CEDEX 15 - 75508 - France.

C'est une marque semi-figurative qui a été déposée dans les classes de produits et/ou de services suivants :

09 40 42

Enregistrée pour une durée de 10 ans, la marque GaNotec est expirée depuis le 1 mars 2017.

S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies a également déposé les autres marques suivantes : Wave SOI , Xtreme SOI , RF SOI , SAPOS , GANOTEC , CONCENTRIX , PREMIUM SOI , IMPROVE , Imager SOI , UNIBOND


S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies Société anonyme - Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques,38190 BERNIN - 38190 - France - SIREN 384711909


ALAIN BENSOUSSAN SELAS - 29, rue du Colonel Pierre Avia,75508 PARIS CEDEX 15 - 75508 - France


Enregistrement avec modification - Publication au BOPI 2007-33

Publication - Publication le 6 avr. 2007 au BOPI 2007-14

Substrats de semi-conducteurs pour l'optoélectronique, pour la microélectronique, pour la micro-mécanique, et les activités dérivées. Supports d'enregistrement magnétiques, optiques, numériques, électroniques ; plaquettes de semi-conducteurs ; semi-conducteurs ; plaquettes de semi-conducteur pour les diodes électroluminescentes, pour les composants radio fréquence (RF) de puissance ; composants pour la microélectronique, pour l'optoélectronique et pour la micro-mécanique ; substrats de matériaux pour la microélectronique, pour l'optoélectronique et pour la micro-mécanique, pour les écrans plats, pour les diodes électroluminescentes, les guides optiques intégrés, pour les capteurs, pour les cartes à mémoire ou à microprocesseur, pour les composants radio fréquence (RF) de puissance.

Traitement de matériaux, à savoir traitement mécanique, chimique et physique et usinage de surfaces de matériaux ; traitement des substrats de matériaux pour la microélectronique et l'optoélectronique et toutes activités dérivées ; traitement de plaquettes de semi-conducteurs et de semi-conducteurs ; polissage de plaquettes de semi-conducteurs, transfert de couche de matériaux, de semi-conducteurs ou de composants sur tout support.

Recherches scientifiques, technologiques, techniques et industrielles, rendues par des ingénieurs ; essais de matériaux et travaux de laboratoires pour des tiers ; recherche et développement de nouveaux produits pour des tiers ; recherches et développement de nouveaux produits notamment dans le domaine des plaquettes et des semi-conducteurs pour les composants optoélectroniques, les composants radio fréquence (RF) de puissance et les activités dérivées ; ingénierie et travaux d'ingénieurs, notamment dans le domaine des plaquettes de semi-conducteurs et des semi-conducteurs pour les composants optoélectroniques, pour les composants radio fréquence (RF) de puissance et les activités dérivées.