RENESAS ELECTRONICS CORPORATION, Société de droit japonais
Numéro de dépôt :
3432958
Date de dépôt :
06/06/2006
Lieu de dépôt :
I.N.P.I. PARIS
Date d'expiration :
06/06/2026
Présentation de la marque EMMA ENHANCED MULTIMEDIA ARCHITECTURE
Déposée le 6 juin 2006 par la société étrangère RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
auprès de l’Institut National de la Propriété Industrielle (I.N.P.I. PARIS),
la marque française « EMMA ENHANCED MULTIMEDIA ARCHITECTURE » a été publiée au Bulletin Officiel de la Propriété Industrielle (BOPI) sous le numéro
2006-28 du 13 juillet 2006.
Le déposant est la société étrangère RENESAS ELECTRONICS CORPORATION domicilié(e) 3-2-24, Toyosu, Koto-ku, Tokyo - Japon.
Lors de son dernier renouvellement, il a été fait appel à un mandataire, Cabinet Chaillot, Mme Desrois Julie domicilié(e) 16 avenue de l'Agent Sarre, BP 74 - 92703 - COLOMBES cedex - France.
La marque EMMA ENHANCED MULTIMEDIA ARCHITECTURE a été enregistrée au Registre National des Marques (RNM) sous le numéro 3432958.
C'est une marque semi-figurative qui a été déposée dans les classes de produits et/ou de services suivants :
RENESAS ELECTRONICS CORPORATION, Société de droit japonais - 3-2-24, Toyosu, Koto-ku, Tokyo - Japon
Cabinet Chaillot, Mme Desrois Julie - 16 avenue de l'Agent Sarre, BP 74 - 92703 - COLOMBES cedex - France
Enregistrement avec modification - Publication au BOPI 2006-48
Publication - Publication le 13 juil. 2006 au BOPI 2006-28
Inscription le 26 juillet 2010 - Changement de dénomination;Changement d'adresse n°528104 - Publication le 27 août 2010 au BOPI 2010-07-26
Inscription le 26 juillet 2010 - Transmission totale de propriété n°528103 - Publication le 27 août 2010 au BOPI 2010-07-26
Inscription le 8 septembre 2016 - Changement d'adresse n°679178 - Publication le 7 oct. 2016 au BOPI 2016-09-08
Renouvellement sans limitation le 27 juin 2016 n°2622068 - Publication le 10 nov. 2016 au BOPI 2016-06-27
Semi-conducteurs, semi-conducteurs numériques, semi-conducteurs radio-électriques, semi-conducteurs composés, diodes, transistors, transistors à effet de champ à l'arséniure de gallium, cellules standard, à savoir circuits intégrés à grandes échelles (LSI) semi personnalisés pour la conception de micro plaquettes et de puces, circuits intégrés, boîtiers de circuits intégrés, circuits intégrés à application spécifique (ASICs), circuits intégrés hybrides, circuits intégrés à grande échelle (LSI), circuits pré-diffusés, mémoires d'ordinateur, micro ordinateurs, mémoires en lecture seule (ROMs), mémoires vives (RAMs), mémoires statiques (SRAMs), mémoires dynamiques (DRAMs), mémoires mortes programmables (PROMs), mémoires mortes re-programmables (EPROMs), mémoires mortes électriques re-programmables (EEPROMSs), mémoires programmables à accès sélectif (FPROMs), micro-ordinateurs, unités centrales (CPUs), micro-processeurs, dispositifs de couplage de charge (CCDs), cartes de circuits imprimés (PWBs), condensateurs, résistances électriques variables, claviers, connecteurs électriques, logiciels informatiques utilisés pour la conception des circuits intégrés, relais électriques, panneaux d'éclairage électro-luminescents, écrans à cristaux liquides, afficheurs à diodes électro-luminescents, carte de connexion pour ordinateurs et connecteurs pour connecter des périphériques d'ordinateurs ; aucun d'entre eux n'usant ou n'incorporant de logiciel de gestion de mémoire étendue.
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