Marque enregistrée - Marque en vigueur

G-DRIVE
EXAGAN, Société anonyme à conseil d'administration

Numéro de dépôt :
4263628
Date de dépôt :
11/04/2016
Lieu de dépôt :
92 INPI - Dépôt électronique
Date d'expiration :
11/04/2026
G-DRIVE de EXAGAN

Présentation de la marque G-DRIVE

Déposée par voie électronique le 11 avril 2016 par la Société Anonyme (SA) EXAGAN auprès de l’Institut National de la Propriété Industrielle (I.N.P.I PARIS), la marque française « G-DRIVE » a été publiée au Bulletin Officiel de la Propriété Industrielle (BOPI) sous le numéro 2016-18 du 6 mai 2016.

Le déposant est la Société Anonyme (SA) EXAGAN domicilié(e) 7 Parvis Louis Néel, BP 50 - 38040 - GRENOBLE CEDEX 9 - France et immatriculée sous le numéro RCS 801 418 245 .

Lors de son dépôt, il a été fait appel à un mandataire, IP TRUST, domicilié(e) 2 rue de Clichy - 75009 - PARIS-9E-ARRONDISSEMENT - France.

La marque G-DRIVE a été enregistrée au Registre National des Marques (RNM) sous le numéro 4263628.

C'est une marque semi-figurative qui a été déposée dans les classes de produits et/ou de services suivants :

09

Enregistrée pour une durée de 10 ans, la marque G-DRIVE arrivera à expiration en date du 11 avril 2026.

EXAGAN a également déposé les autres marques suivantes : G-Stack , Intelligent GaN Solution , G-FET , , G-MODULE


EXAGAN, Société anonyme à conseil d'administration - 7 Parvis Louis Néel, BP 50 - 38040 - GRENOBLE CEDEX 9 - France - SIREN 801418245


IP TRUST, - 2 rue de Clichy - 75009 - PARIS-9E-ARRONDISSEMENT - France


Publication - Publication le 6 mai 2016 au BOPI 2016-18

Enregistrement sans modification - Publication le 5 août 2016 au BOPI 2016-31

Inscription le 26 mars 2018 - Renonciation partielle n°719734 - Publication le 27 avr. 2018 au BOPI 2018-03-26

Inscription le 30 avril 2020 - Constitution de mandataire n°786323 - Publication le 5 juin 2020 au BOPI 2020-04-30

Semi-conducteurs de puissance ; module de semi-conducteurs et notamment module de semi-conducteur de puissance ; Transistor de puissance, notamment transistor à haute mobilité d'électrons.