Marque renouvelée - Marque en vigueur

HITACHI
KABUSHIKI KAISHA HITACHI SEISAKUSHO (HITACHI, LTD.), Société organisée sous les lois du Japon

Numéro de dépôt :
95552523
Date de dépôt :
06/01/1995
Lieu de dépôt :
I.N.P.I. PARIS
Date d'expiration :
06/01/2025

Présentation de la marque HITACHI

Déposée le 6 janvier 1995 par la société KABUSHIKI KAISHA HITACHI SEISAKUSHO (HITACHI auprès de l’Institut National de la Propriété Industrielle (I.N.P.I. PARIS), la marque française « HITACHI » a été publiée au Bulletin Officiel de la Propriété Industrielle (BOPI) sous le numéro 1995-06 du 10 février 1995.

Le déposant est la société KABUSHIKI KAISHA HITACHI SEISAKUSHO (HITACHI domicilié(e) 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, TOKYO - Japon.

Lors de son dernier renouvellement, il a été fait appel à un mandataire, SELAS CASALONGA domicilié(e) 5-7 Avenue Percier - 75008 - PARIS - France.

La marque HITACHI a été enregistrée au Registre National des Marques (RNM) sous le numéro 95552523.

C'est une marque semi-figurative qui a été déposée dans les classes de produits et/ou de services suivants :

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Enregistrée pour une durée de 30 ans, la marque HITACHI arrivera à expiration en date du 6 janvier 2025.

KABUSHIKI KAISHA HITACHI SEISAKUSHO (HITACHI a également déposé les autres marques suivantes : OSCNQS , DEQSOL LIB HAP , (Marque figurative) , MICROSCALE , HITACHI , F , SAXIRIS , HI-UX WE2 , TRADE WINDS ON EXTRANET , HITAC


KABUSHIKI KAISHA HITACHI SEISAKUSHO (HITACHI, LTD.), Société organisée sous les lois du Japon - 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, TOKYO - Japon


SELAS CASALONGA - 5-7 Avenue Percier - 75008 - PARIS - France


Renouvellement sans limitation le 23 décembre 2004 n°2277985 - Publication au BOPI 2004-12-23

Enregistrement sans modification - Publication au BOPI 1995-24

Publication - Publication le 10 févr. 1995 au BOPI 1995-06

Renouvellement sans limitation le 16 décembre 2014 n°2573937 - Publication le 27 févr. 2015 au BOPI 2014-12-16

Appareils et instruments pour la production de semi-conducteurs, d'éléments à semi-conducteurs et de circuits intégrés; lithographie par faisceau d'électrons